目前，主流的圖像傳感器（CIS：CMOSImageSensor）的封裝方法包括：芯片級封裝（ChipScalePackage，CSP）、板上集成封裝（ChipOnBoard，COB）及倒裝芯片封裝（FlipChip，FC）。

CISCSP是一種目前普遍應用在中低端、低像素（2M像素或以下）圖像傳感器的封裝技術，可采用Dielevel（芯片級）或Waferlevel（晶圓級）封裝技術。該封裝技術通常使用晶圓級玻璃與晶圓bonding并在晶圓的圖像傳感器芯片之間使用圍堰隔開，然后在研磨后的晶圓的焊盤區域通過制作焊盤表面或焊盤面內孔側面環金屬連接的硅穿孔技術（TSV：ThroughSiliconVia）或切割后焊盤側面的T型金屬接觸芯片尺寸封裝技術，并在晶圓背面延伸線路后制作焊球柵陣列（BGA：BallGridArray），然后切割后形成單個密封空腔的圖像傳感器單元。后端通過SMT的方法形成模塊組裝結構。但是，CSP封裝具有如下明顯的問題：1影響產品性能：厚的支撐玻璃對光的吸收、折射、反射及散射對圖像傳感器尤其是小像素尺寸產品的性能具有很大的影響；2可靠性問題：封裝結構中的構件之間的熱膨脹系數差異及空腔內密封氣體在后面的SMT工藝或產品使用環境的變化中出現可靠性問題；3投資規模大、環境污染控制要求大，生產周期較長，單位芯片成本較高尤其對于高像素大尺寸圖像傳感器產品。

CISCOB封裝是一種目前普遍應用在高端、高像素產品（5M像素或以上）圖像傳感器的DieLevel（芯片級）封裝技術。該封裝技術把經研磨切割后的芯片背面bonding在PCB板的焊盤上使用鍵合金屬導線，裝上具有IR玻璃片的支架和鏡頭，形成組裝模塊結構。但是，COB封裝如下明顯的問題：1、微塵控制非常困難，需要超高的潔凈室等級，制造維持成本高；2、產品設計定制化、周期長、靈活度不夠；3不容易規模化生產；

CISFC封裝最近興起的高端、高像素（5M像素或以上）圖像傳感器的DieLevel（芯片級）封裝技術。該封裝技術把在焊盤做好金素凸塊經研磨切割的芯片焊盤直接與PCB的焊盤通過熱超聲的作用一次性所有接觸凸塊與焊盤進行連接，形成封裝結構。后端通過PCB外側的焊盤或錫球采用SMT的方法形成模塊組裝結構。但是，FC封裝如下明顯的問題：1該封裝對PCB基板要求很高，與Si具有相近的熱膨脹系數，成本很高；2制造可靠性難度很大，熱超聲所有凸塊與焊盤連接的一致性要求非常高，凸塊與焊盤硬連接，延展性不好；3微塵控制難度大、工藝環境要求高，成本很高；